TDK陶瓷电容 1812 104 450V X7T

 TDK电容C4532COG2A104J    1812 NPO 100V 0.1UF 5%高频贴片电容，高频消振温度补偿电容，TDK新产品  新品
TDK电容C4532COG2A473J    1812 NPO 100V 0.047UF 47NF 5%高频贴片电容，高频消振温度补偿电容，TDK新产品
TDK电容C4532X7R2A105K    1812 X7R 250V 1UF 10%
 TDK电容C4532X7R1H475K    1812 X7R 50V 4.7UF 10%
 TDK电容C4532X7R1E106K    1812 X7R 25V 10UF 10%
 TDK电容C4532X5R1E226M    1812 X7R 25V 22UF 10%
 TDk电容C4532X7R2E474K    1812 X7R 100V 0.47UF 10%
 TDk电容C4532X5R0J107M    1812 X5R 6.3V 100UF  20%
 TDK电容C4532X7T2W334K    1812 X7T 450V 0.33UF  适用220v阻容降压
TDK电容C4532X7T2W474K    1812 X7T 450V 0.47UF  适用220v阻容降压
TDK电容C4532X7T2W224K    1812 X7R 450V 0.22UF  适用220v阻容降压
TDK电容C4532X7S2A475K    1812 X7S 100V 4.7UF 10%精度
TDK电容C4532X7R1H106K    1812 X7R 50V 10UF 10%高精度贴片电容
 TDK贴片电容的优点
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
 
TDK贴片电容的基本参数
 工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 6.3VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）         
           X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
 容量范围: NPO:10pF to 100nF;
           X7R:150pF to 47uF
            X5R:10UF to 100uf
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；
                   X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
 老化速率: NPO:1%;
           X7R:2.5% 一个decade时间